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高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103

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最后更新时间:2019-04-08
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  • 一 概述
    PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。


    二 特性
    *高压范围达+600V
    *3.3V逻辑兼容
    *抗dV/dt能力±50V/nsec
    *自举工作的浮地通道
    *栅驱动电压范围10V~20V
    *低侧欠压保护(UVLO)功能
    *输出拉灌电流能力300mA/600mA
    *独立的逻辑输出以适应所有的拓扑结构
    *抗-5V瞬态负Vs能力
    *高低侧通道均延时匹配

    三 应用
    *中小型功率电机驱动
    *功率MOSFET或GBT驱动
    *半桥功率逆变器
    *全桥功率逆变器

  • 东莞市中铭电子贸易有限公司创建于2006年,位于东莞市高新科技园区松山湖畔,现位于大岭山镇向东村沿河东街8号;是一家专业从事半导体芯片和器件研发、技术方案服务及销售一体的技术公司。我们的核心经营团队都拥有多年行业从业背景,并不断吸纳优秀人才加盟,拥有完备的人才培育机制;确保竞争力不断提升。

      我们持续进行技术创新和产品研发的投入,不断挖掘本土优秀半导体资源,同时大力开发海外高性价比的产品,为客户构建完善的半导体元件资源供应平台,提供个性化的定制方案设计,实现与客户、用户多盈的局面。立足于大中华区,辐射海外市场!公司核心产品:开关电源芯片、单片机、触摸芯片、直流电机驱动芯片、传感器、LED驱动芯片、IPM、MOSFET、肖特基、IGBT、ARM和智能WIFI模块等。产品广泛应用家用电器、各类电源、LED灯照明、通讯、电力及移动电话、平板电脑和工业设备等领域。
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